Itt az első 45 nanométeres technológiával gyártott Intel-chip

Moore-törvénye

Az Electronics című műszaki folyóiratban 1965. áprilisában tette közzé Gordon E. Moore, az Intel későbbi társalapítója elhíresült írását, amelyben kifejtette, hogy évente körülbelül megduplázható az egy szilíciumlapkára gazdaságosan integrálható alkatrészek száma, s ezzel arányosan növekszik a számítási teljesítmény, illetve csökken az egy integrált áramkörre eső gyártási költség.

Az Intel saját értékelése szerint a legjobb úton halad, hogy 2007-ben ezzel a technológiával és 300 milliméteres szilícium ostyákat felhasználva gyártson lapkákat, illetve hogy kétévente új gyártási technológiák bevezetésével továbbra is érvényben tartsa a chiptechnológia fejlődését előrejelző Moore-törvényt.

Jelenleg az Intel az iparágban első a félvezetők 65 nanométeres tömeggyártásában. Arizonai és oregoni gyártó egysége készít 65 nanométeres technológiával chipeket, ám hamarosan egy írországi és egy újabb oregoni fab is munkába áll.

„Az Intel mindig is arra törekedett, hogy a technológiai ugrásokat („leaps”) az emberek által is nagyra értékelt, kézzelfogható újítások formájában valósítsa meg. A 45 nanométeres technológia megteremti majd a lehetőséget , hogy még nagyobb teljesítményű személyi számítógépek kerüljenek a piacra” – mondta Bill Holt, az Intel technológia és gyártás csoportjának alelnök-vezérigazgatója.

Így néz ki egy 300 milliméteres szilícium-ostya. Az Intel keskenycsíkon gyorsít © Intel

Az Intel 45 nanométeres gyártástechnológiájú lapkáinál az új eljárásnak köszönhetően kevesebb mint ötödére csökken a szivárgási áram. Ez hosszabb akkumulátoridőt ad a mobil eszközök számára, valamint méretben kisebb, mégis nagyobb teljesítményű platformok építését teszi lehetővé.

A 45 nanométeres SRAM lapkák több mint egymilliárd tranzisztort tartalmaznak. Noha nem kereskedelmi termék, az SRAM segítségével még a 45 nanométeres processzorok és más logikai chipek gyártásának felfuttatása előtt demonstrálható a technológia színvonala, a kihozatal és a chipek megbízhatósága. Ez a világ legkomplexebb eszközeinek tömeggyártása felé tett első, és az Intel szerint kulcsfontosságú lépés.

A 45 nanométeres fejlesztések az Intel oregoni D1D gyártó üzemében jelenleg is folynak, és emellett a társaság két új fab építéséről is beszámolt. Az arizonai Fab 32, és a Fab 28 Izraelben szintén 45 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiát alkalmaz majd a lapkák tömeges előállítására.