Alig egy évvel ezelőtt mutatta be a Samsung az első olyan, GDDR7 szabvánnyal készült memóriachipjét, ami 16 Gbps adatátviteli sebességre volt képes. Akkor ez volt az első olyan chip, ami ezzel az értékkel büszkélkedhetett, a dél-koreai cégnél viszont azóta sem tétlenkedtek. Ennek köszönhetően megérkezett az újabb fejlesztés: az iparág első, 24 Gbps adatátviteli sebességgel működő egysége.

A Samsung közlése szerint a nagy kapacitásnak és a nagy teljesítménynek köszönhetően nemcsak a videokártyáknál, játékkonzoloknál vagy önvezető autóknál lehet majd alkalmazni a megoldást, hanem olyan területeken is, amelyeknél kifejezett követelmény, hogy minél nagyobb teljesítményű memóriaegység álljon rendelkezésre. Tipikusan ilyenek például az adatközpontok vagy épp a mesterséges intelligenciát futtató munkaállomások.

Samsung

Az egység 10 nanométeres gyártási technológiával készült. Ennek köszönhetően 50 százalékkal nagyobb az adatsűrűsége – annak ellenére, hogy a mérete nem változott –, valamint javult az energiafelhasználása is, méghozzá 30 százalékkal.

A memóriahip továbbra is a 3-as pulzusamplitúdó-modulációt használja. Ez a PAM3, a lényege pedig, hogy 0 és 1 helyett -1, 0 és 1 értékeket vehet fel a jel, vagyis két órajel adat 3 bitnyi adatot lehet továbbítani. Mindez szintén növeli a chip gyorsaságát. A teljesítménye 40 Gbps-ig is növelhető, ami 25 százalékkal jobb a tavalyi 32 Gbps-es maximumnál. Környezettől függően viszont akár 42,5 Gbps is kitaposható belőle, bár kérdés, ez mennyire befolyásolja az élettartamát.

A tervek szerint 2025 elején kerül majd forgalomba a chip.

Ha máskor is tudni szeretne hasonló dolgokról, lájkolja a HVG Tech rovatának Facebook-oldalát.