szerző:
hvg.hu
Tetszett a cikk?

Nem először kerül szóba a dél-koreai SK hynix neve a memóriafejlesztések kapcsán. Legújabb innovációjuk megalapozhatja vezető szerepét az ultranagy teljesítményű memória szektorban.

Az SK hynix bemutatta legújabb DRAM fejlesztését, a HBM3E memóriát, amely akár 1,15 TB/s-os adatfeldolgozási sebességet is elérhet. Hogy ez mit jelent, azt érdemes egy példával megvilágítani: egyetlen másodperc alatt képes feldolgozni 230 teljes nagy felbontású (FHD), egyenként 5 GB méretű filmet.

A puszta sebességen túl a termék a legújabb Advanced MR-MUF technológiát alkalmazza, amely 10 százalékkal javítja a hőelvezetést az előző generációhoz képest. Az is lényeges, hogy a HBM3E visszafelé kompatibilis, azaz lehetővé válik a HBM3E integrálása a meglévő HBM3-alapú rendszerekbe anélkül, hogy bármilyen tervezési változtatásra lenne szükség.

A HBM (High Bandwidth Memory) nagy teljesítményű memória, amely függőlegesen köt össze több DRAM chipet, lehetővé téve az adatfeldolgozási sebesség drámai növekedését a korábbi DRAM termékekhez képest. A HBM3E a HBM3 kiterjesztett változata és a maga nemében az 5. generáció, amely a korábbi HBM, HBM2, HBM2E és HBM3 generációkat követi. A DRAM-mintákat már kiosztották az ügyfeleknek teljesítményellenőrzés céljából. A tervek szerint a tömeggyártás a jövő év első félévében indul. A memóriát egyébként kifejezetten a mesterséges intelligencia alkalmazásokhoz tervezték.

Természetesen a Samsung sem akar lemaradni: 2023 második felében kezdi meg a mesterséges intelligencia számára szabott HBM chipek tömeggyártását, közvetlenül versenyezve az SK Hynixszel. Tavaly az SK hynixnek 50 százalékos részesedése volt a HBM-piacon, a Samsungnak 40 százalék, a maradék 10 százalék pedig a Mikroné volt.

Ha máskor is tudni szeretne hasonló dolgokról, lájkolja a HVG Tech rovatának Facebook-oldalát.

HVG

HVG-előfizetés digitálisan is!

Rendelje meg a HVG hetilapot papíron vagy digitálisan, és olvasson minket bárhol, bármikor!