A prototípusokba úgynevezett több szintű cella (Multi-Level Cell – MLC) szerkezetet építettek, 4 kilobyte-os jelzőoldal-mérettel, amely megduplázza az olvasási sebességet, s 150%-kal növeli az írási teljesítményt. A világcég 2007 első negyedévében kezdi meg a 16 gigás NAND memóriák sorozatgyártását.
2006 szeptemberében a cég már nyilvánosságra hozta, hogy kifejlesztették a 32 gigabyte-os változatot is. A „nagytestvérben” úgynevezett töltés-csapda (charge trap flash – CTF) található, amely növeli a gyártási hatékonyságot és fokozza a teljesítményt.
A Samsung szerint az ehhez hasonló, nagy sűrűségű eszközök gyártása felgyorsíthatja a szilárdtest memóriák és szilárdtest merevlemezek elterjedését. A cég előrejelzése szerint a hasonló adathordozók 2010-re nem kevesebb mint 4,5 milliárd dolláros forgalmat generálnak majd.
Az In-Stat piackutató cég szerint a szilárdtest-lemezek piaci részesedése 50 százalékot érhet el 2013-ra.
