Tízezerszer gyorsabb RAM készült, forradalom jöhet a mobilpiacon is
Kínai kutatóknak sikerült az elméleti határig kitolni a RAM teljesítményét, amely nemcsak pokolian gyorsnak tűnik, de áramforrás nélkül is képes emlékezni az információkra.
HVG
A gyártók folyamatosan azon versenyeznek, hogy melyik cég tud erősebb csúcstelefont, laptopot készíteni. Hogy mire képes egy készülék, az alapvetően három dolgon múlik: a processzor teljesítményén, a benne lévő tárhely írási/olvasási képességén, valamint azon, hogy mennyi memória kerül bele. Ez utóbbi kapcsán a kínai Fudan Egyetem fejlesztése hozhat el új forradalmat.
Az egyelőre csak kísérleti fejlesztés – amelyről a Nature-ben jelent meg a kutatók publikációja – a PoX nevet viseli, és a szakemberek szerint 400 pikoszekundum alatt képes adatokat írni. Ez körülbelül 25 milliárd művelet másodpercenként, ami 10 000-szer gyorsabb, mint egy átlagos laptopban lévő tárhely.
A hagyományos RAM-típusok, mint például a DRAM és az SRAM gyorsak, de áramforrás nélkül elvész a bennük lévő adat. A flashmemória – ezt használják például az SSD-ben is – viszont kiválóan alkalmas az adatok áram nélküli tárolására. Csakhogy a nagy adatforgalommal járó feladatok – például a mesterséges intelligencia működése – számára ez túl lassú.
Itt jöhet képbe a PoX, amit a következő generációs RAM-ként jellemeznek, és ami kétdimenziós grafént használ a hagyományos szilícium helyett.
A Huawei szerint gyors és hatékony adattárolót sikerült építeni, hála a szalagos adattárolásnak.
A grafén szuperhatékony töltéstranszportja lehetővé teszi az úgynevezett „szuperinjekciót”, amely sokkal gyorsabban tölti fel a memóriacellát, mint a jelenlegi megoldások. A Csou Peng, a PoX-ot fejlesztő csapat vezetője társaival együtt a mesterséges intelligenciát is felhasználta a tervezési folyamat finomhangolására, és ezzel a teljesítményt az elméleti határig sikerült kitolni – írja a BGR.
Ami a PoX-ot igazán forradalmivá teszi, az az, hogy az adatokra energiaellátás nélkül is képes emlékezni – vagyis lényegében ötvözi a RAM és a flashmemória legjobb tulajdonságait. Ennek köszönhetően a mesterséges intelligenciát kiszolgáló szerverektől kezdve egészen az okostelefonokig csökkenhet a készülékek áramellátása. A szakemberek szerint a jövőben kihagyható lesz az ilyen eszközökből például a statikus memória (SRAM).
Egyelőre nincs adat arról, hogy hosszú távon mire lehet számítani a PoX-tól, vagyis hogy mennyire tartós és megbízható, ugyanakkor ha beigazolódnak a hozzá fűzött remények, az forradalmat hozhat el minden olyan eszközben, amely RAM-ot használ.
Az Irán elleni példátlan amerikai katonai támadás és Teherán visszafogott válasza után Donald Trump elérkezettnek látta az időt a tűzszünetre, és akaratát érvényesíteni is tudta az iszlám köztársasággal és Izraellel szemben. De hogy elfajul-e a konfliktus, attól is függ, mekkora kár érte a nukleáris programot.