Megelőzve az Intelt és más processzorgyártókat, a Samsung először készít 10 nm-es gyártástechnológiával rendszerchipeket tömeggyártásban. Az így előállított tranzisztorok alig 50-szer lennének nagyobbak, mint egy szilícium atom.

A koreai Electronic Times szerint a cég exkluzív megállapodást kötött a Qualcommal, hogy a következő generációs Snapdragon 830 processzorok már ezzel a 10 nm-es gyártástechnológiával készülnek.

GSM Arena

A Samsung 10 nm-es FinFET technológiáját használva többrétegű 3D tranzisztorstruktúrák készíthető, ezek 27 százalékkal nagyobb teljesítményt nyújtanak, viszont 40 százalékkal kevesebbet fogyasztanak, mint 14 nm-es társaik. Az új alapokon a mostaniaknál gyorsabb és akkumulátorkímélőbb eszközök készíthetők majd, és feltehetően ezt a technológiát vetik majd be a Samsung jövendőbeli készülékein is, például a tavasszal debütáló Galaxy S8-on.

A 10 nm-es gyártástechnológiával készült első generációs egylapkás rendszerek (rendszerchipek, SoC-k) már a jövő év elején, míg a második generációsak 2017 második felében jelenhetnek meg.

Ha máskor is tudni szeretne hasonló dolgokról, lájkolja a HVG Tech rovatának Facebook-oldalát.