szerző:
hvg.hu
Tetszett a cikk?

A Samsung Electronics bejelentette, hogy elkészült a 16 gigabyte-os NAND flash memóriák első darabjaival, amelyek az 50 nanométeres technológiával készültek. Tavaly szeptemberben már azt is nyilvánosságra hozták, hogy elkészült ugyanennek az adattárolónak a kétszer ekkora változata is.

A prototípusokba úgynevezett több szintű cella (Multi-Level Cell – MLC) szerkezetet építettek, 4 kilobyte-os jelzőoldal-mérettel, amely megduplázza az olvasási sebességet, s 150%-kal növeli az írási teljesítményt. A világcég 2007 első negyedévében kezdi meg a 16 gigás NAND memóriák sorozatgyártását.

2006 szeptemberében a cég már nyilvánosságra hozta, hogy kifejlesztették a 32 gigabyte-os változatot is. A „nagytestvérben” úgynevezett töltés-csapda (charge trap flash – CTF) található, amely növeli a gyártási hatékonyságot és fokozza a teljesítményt.

A Samsung szerint az ehhez hasonló, nagy sűrűségű eszközök gyártása felgyorsíthatja a szilárdtest memóriák és szilárdtest merevlemezek elterjedését. A cég előrejelzése szerint a hasonló adathordozók 2010-re nem kevesebb mint 4,5 milliárd dolláros forgalmat generálnak majd.

Az In-Stat piackutató cég szerint a szilárdtest-lemezek piaci részesedése 50 százalékot érhet el 2013-ra.
HVG

HVG-előfizetés digitálisan is!

Rendelje meg a HVG hetilapot papíron vagy digitálisan, és olvasson minket bárhol, bármikor!

MTI Tech

A memóriazavarnál segít a számítógép

Memóriazavarok áthidalását segítő számítógépes programot dolgozott ki az egyesült államokbeli Oregon állam egyetemének egyik kutatója. Jon Herlocker tanársegéd Task Tracer elnevezésű programja beszédfelismerő-rendszert tartalmaz, és egyúttal figyeli, nyomon követi, amit teszünk.